MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3 (IPU103N08N3 G)

Part Number: IPU103N08N3 G

Documents / Media: datasheets IPU103N08N3 G

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 46A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 46µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 40V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 100W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO251-3
  • Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Цена по запросу